文献类型：期刊文章

作　　者：宋庆庆[1] 王新波[2,3] 崔万照[2] 王志宇[1] 冉立新[1]

机构地区：[1]浙江大学,应用电磁波研究实验室,杭州310027 [2]西安空间无线电技术研究所,西安710100 [3]西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,西安710049

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金重点项目(批准号:61131002);国家重点实验室基金项目(批准号:9140A21060211HT0511)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：22

起止页码：31-37

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20145100335938)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000346853600005)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：长周期多载波微放电是近年来新发现的、主要发生在宽带、大功率真空微波部件中的二次电子倍增放电现象.与发生在单个载波周期中的多载波微放电相比,长周期多载波微放电来源于多个载波周期间的二次电子累积,具有相对较低的放电阈值和不可预测性,对空间和加速器应用中宽带大功率微波部件的长期可靠性带来了新的隐患.为解决长周期多载波微放电阈值分析中非均匀场激励下二次电子累积的理论计算问题,本文采用概率方法,通过引入随机漫步和Branching Levy漫步模型,对微放电过程中二次电子横向扩散所需遵循的概率模型进行了严格的推导,并采用所得的概率密度函数,给出了主模为TE10模的矩形波导中多载波激励下二次电子积累过程的纯理论计算.与相同条件下采用粒子仿真所得的结果对比,本文给出的计算结果与仿真结果相符合,同时计算耗时减少了接近一个数量级.本文报道的二次电子横向扩散的概率描述可广泛应用于高功率真空电子和电磁器件领域.

关 键 词：多载波微放电  二次电子 随机漫步 概率密度

分 类 号：O462.2]