文献类型：期刊文章

作　　者：郝天亮[1] 陈钢进[2]

机构地区：[1]浙江大学物理系,杭州310027 [2]杭州电子科技大学驻极体及其应用实验室,杭州310018

出　　处：《功能材料》

基　　金：浙江省自然科学基金资助项目(Y407208)

年　　份：2014

卷　　号：45

期　　号：22

起止页码：22091-22095

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20150300425772)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：SiO2驻极体具有优异的电荷储存能力,其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点,一直是微器件和传感器领域研究的热点。采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等离子增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发两种方法制备的SiO2薄膜的驻极体特性,发现PECVD方法制备的SiO2薄膜的驻极体性能明显优于电子束蒸发制备的SiO2薄膜。结合扫描探针显微镜、X射线衍射及激光拉曼光谱等技术对两种薄膜的结构分析表明,其性能差异与薄膜形貌和微观结构密切相关。PECVD方法制备的非晶SiO2薄膜由纳米级非晶颗粒组成,颗粒间存在大量无序度较高的界面,由此产生的"界面陷阱"是导致PECVD制备的SiO2薄膜具有更佳电荷存储稳定性的根本原因。

关 键 词：驻极体 SIO2薄膜 微观结构 PECVD 电子束蒸发

分 类 号：O484]