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期刊文章详细信息

基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估    

Bipolar-transistor Storage Lifetime Assessment Based on Ideality Factor Degradation

  

文献类型:期刊文章

作  者:齐浩淳[1,2] 张小玲[1] 谢雪松[1] 吕长志[1] 陈成菊[1] 赵利[1]

机构地区:[1]北京工业大学可靠性物理实验室 [2]中国人民解放军68129部队

出  处:《四川兵工学报》

年  份:2014

卷  号:35

期  号:8

起止页码:141-145

语  种:中文

收录情况:CAS、ZGKJHX、普通刊

摘  要:提出了用理想因子n作为表征,对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象,进行了3组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验,分析了随试验时间的增加双极晶体管样品的性能参数退化的原因。通过设定失效判据,利用晶体管样品在小电流情况下PN结的理想因子的退化趋势外推出双极晶体管的贮存寿命,并与通过反向漏电流的退化趋势预测得到的贮存寿命结果进行了对比。结果证明,晶体管PN结的理想因子退化也可以作为晶体管贮存寿命的一种表征,从而对晶体管的贮存可靠性进行评估。

关 键 词:双极晶体管 理想因子  加速试验  贮存寿命  

分 类 号:TN322.8]

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同被引文献:

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