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期刊文章详细信息

电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究    

Influence of Different Resistivity on N-type Monocrystalline Silicon Solar Cell Performance

  

文献类型:期刊文章

作  者:贾琰[1,2] 王振交[2] 严慧敏[1,2] 张光春[1,3] 李果华[1,3]

机构地区:[1]江南大学理学院,无锡214122 [2]无锡尚德电力控股有限公司,无锡214028 [3]江苏省(尚德)光伏技术研究院,无锡214028

出  处:《硅酸盐通报》

年  份:2014

卷  号:33

期  号:8

起止页码:2128-2132

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘  要:近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化。基于N^NP+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1~5.5Ωcm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别,可以有效的节省成本。通过选用不同电阻率的N型硅片,经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池,采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源I-V测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量。实验结果表明:虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高,但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异。

关 键 词:电阻率 N型单晶硅太阳电池  少子寿命 方块电阻 电池性能

分 类 号:TN304]

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同被引文献:

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