文献类型：期刊文章

作　　者：任圣[1] 马忠元[1] 江小帆[1] 王越飞[1] 夏国银[1] 陈坤基[1] 黄信凡[1] 徐骏[1] 徐岭[1] 李伟[1] 冯端[1]

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB934402,2013CB632101);国家自然科学基金(批准号:61071008,60976001);中央高等学校基本科研基金(批准号:1095021030,1116021004,1114021005);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20130091110024)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：16

起止页码：319-326

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20143900071468)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000341427000042)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态比显著提高,最高可达109.X射线光电子能谱和电子顺磁共振能谱的分析表明,不同退火温度下形成的不同价态的硅悬挂键是低阻态下细丝通道的主要来源.椭偏仪的测试结果表明,经过热退火处理的SiOx薄膜折射率的增大是导致高阻态下器件电阻增大的原因.

关 键 词：SIOX薄膜 阻变特性  硅悬挂键  热处理  

分 类 号：O484.4]