文献类型：期刊文章

作　　者：高玉竹[1] 洪伟[1] 龚秀英[1] 吴广会[2] 冯彦斌[2]

机构地区：[1]同济大学电子与信息工程学院,上海201804 [2]陕西华星电子工业公司,西安712099

出　　处：《电子与封装》

基　　金：国家自然科学基金项目(60777022);中央高校基本科研业务费项目

年　　份：2014

卷　　号：14

期　　号：2

起止页码：45-48

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：工作在中、长波红外波段(波长5~12μm)的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延(ME)法在InAs(砷化铟)衬底上生长的InAs0.05Sb0.95(铟砷锑)厚膜单晶,制作了高灵敏度、非制冷型、中长波光导型探测器,探测器上安装了Ge(锗)浸没透镜。傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2~9μm。室温下,在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp*达到5.4×109 cm·Hz1/2·W-1,在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D*分别为9.3×108和1.3×108 cm·Hz1/2·W-1,显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。

关 键 词：非制冷红外光子探测器  INASSB 峰值探测率  光谱响应

分 类 号：TN304.05]