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期刊文章详细信息

一种全频段GNSS应用的低噪声放大器  ( EI收录)  

A low noise amplifier for full-band GNSS applications

  

文献类型:期刊文章

作  者:周仁杰[1] 马成炎[1,2,3] 项勇[1] 甘业兵[1,2,3] 叶甜春[1]

机构地区:[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]杭州中科微电子有限公司,浙江杭州310053 [3]嘉兴联星微电子有限公司,浙江嘉兴314000

出  处:《中南大学学报(自然科学版)》

基  金:国家"核高基"重大专项(2009ZX01031-002-008);嘉兴市科技计划项目(2012BZ5006);嘉兴市南湖区科技计划项目(2011QG06)

年  份:2014

卷  号:45

期  号:7

起止页码:2217-2222

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20143600062899)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:设计一种满足全频段全球卫星导航系统(global navigation satellite system, GNSS)接收机应用要求的低噪声放大器(low noise amplifier, LNA)。为提高射频前端的集成度并降低成本,提出一种基于发射极电感负反馈结构宽带LNA的实现方法,并对电路结构、宽带输入阻抗匹配和噪声性能进行分析。电路采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计和实现。研究结果表明:在GNSS全频段范围(1 164-1 610 MHz)内,输入回损大于8.0 dB,输出回损大于8.9 dB,噪声系数低于1.30 dB,功率增益高于14.9 dB,输入三阶互调点为-5.8 dBm。芯片最低功耗为9.6 mW,面积约为600 μm×650 μm。

关 键 词:全球卫星导航系统(GNSS)  全频段 低噪声放大器 SIGE BICMOS 高集成度  

分 类 号:TN433]

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同被引文献:

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