文献类型：期刊文章

作　　者：张忠政[1] 张春红[1] 闫万珺[1] 周士芸[1] 郭本华[1]

机构地区：[1]安顺学院电子与信息工程学院航空电子电气与信息网络工程中心,安顺561000

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：贵州省科技厅自然科学基金项目(黔科合J字(2010)2001);贵州省教育厅自然科学基金项目(黔教科KY(2012)056号);贵州省科学技术厅;安顺市人民政府;安顺学院联合科技基金资金资助(黔科合J字LKA(2012)15号);贵州省教育厅2011市州地普通本科高校教育质量提升项目(黔高教发KY(2011)278号)

年　　份：2014

卷　　号：31

期　　号：4

起止页码：652-656

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、JST、RSC、核心刊

摘　　要：基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土La掺杂CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La掺杂后,CrSi2的晶格常数a,b和c均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07eV;在费米面附近,La原子的5d层电子态密度只占总态密度很小的一部分,而总态密度仍然由Si的3p层和Cr的3d层电子的分波态密度决定;La掺杂后CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69,ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小.计算结果为CrSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据.

关 键 词：CrSi2  第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质

分 类 号：O474]