文献类型：期刊文章

作　　者：杨文艳[1] 陈恒杰[1]

机构地区：[1]重庆科技学院数理学院,重庆401331

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：重庆市自然科学基金项目(CSTC2011BB0110)

年　　份：2014

卷　　号：31

期　　号：4

起止页码：515-520

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、JST、RSC、核心刊

摘　　要：应用三阶代数图-表构建法（third-order algebraic diagrammatic construction scheme 简写为 ADC （3））计算了XF3（X=N,P,As）的价层垂直电离势（VIP）.结果表明：内壳层电子关联对电离主峰位置影响非常小；来自不同理论结果的分子结构对电离主峰位置有较小影响；基组差异则表现的非常明显.由计算值和实验结果比较可知：在实验分子结构和 cc-pVDZ基组下,应用 ADC（3）得到的电离势与实验值整体上差距最小；ADC（3）计算的第一电离势往往小于实验值约0.4～0.8 eV,其余主峰位置与实验值差距约0.01～0.3 eV；随基组增大,ADC（3）结果与实验值偏差明显增大.因此,利用 ADC（3）方法计算价层电离势时,建议使用价层电子关联,基组则采用 cc-pVDZ或DZP,结构除采用实验外也可直接从耦合簇、密度泛函等理论获得.

关 键 词：XF3  (X=N,P,As)  价层垂直电离势  三阶代数图-表构建法  

分 类 号：O561.3]