文献类型：期刊文章

作　　者：李志国[1] 余天宇[1] 张颖[1] 孙磊[1] 潘亮[1]

机构地区：[1]北京中电华大电子设计有限责任公司,北京100102

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2014

卷　　号：39

期　　号：8

起止页码：579-583

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2013_2014、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中沟道放电器件的优势。通过一系列ESD测试电路的测试和分析,发现电阻电容触发结构可以明显提高ESD电路的保护能力,其中RC值10 ns设计的栅耦合NMOS(GCNMOS)电路具有最高的单位面积ESD保护能力,达到0.62 mA/μm2。另外对于要求触发电压特别低的应用场合,RC值1μs设计的GCNMOS电路将是最好的选择,ESD能力可以达到0.47 mA/μm2,而触发电压只有3 V。

关 键 词：互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺  电阻电容触发NMOS  静电放电(ESD)电路  传输线脉冲(TLP)测试  热效应  

分 类 号：TN432]