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Cu掺杂TiO_2(101)和(001)面调制效应的第一性原理研究
Modulation Effect of Cu Doped in Te Surfaces of TiO_2 (101) and (101):A DFT Calculation
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]铜仁学院物理与应用工程系,贵州铜仁554300 [2]铜仁学院生物与化学工程系,贵州铜仁554300
基 金:贵州省自然科学基金资助项目(黔教合KY字[2013]182号;黔科合J字LKT[2012]17号)
年 份:2014
卷 号:53
期 号:4
起止页码:114-118
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2011、CAB、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、IC、INSPEC、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊
摘 要:文章采用周期性密度泛函理论,研究了Cu掺杂于锐钛矿TiO_2晶体、吸附和掺杂于TiO_2(001)和(101)表面及次表面后晶体结构的变化及形成能,并讨论了能带结构及态密度的变化.通过形成能的比较发现,Cu最佳掺杂位为TiO_2(001)表面空穴位,且掺杂后TiO_2禁带宽度明显减小并出现半金属性.通过态密度分析可以看出最佳掺杂位Cu-O之间发生较强p-d杂化,证明CuO相的出现.上述结果与实验吻合较好。
关 键 词:密度泛函理论 Cu掺杂TiO2 光催化 最优化表面 形成能
分 类 号:O643]
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