文献类型：期刊文章

作　　者：侯清玉[1] 郭少强[1] 赵春旺[1]

机构地区：[1]内蒙古工业大学理学院物理系,呼和浩特010051

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61366008;51261017);教育部"春晖计划";内蒙古自治区高等学校科学研究项目(批准号:NJZZ13099)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：14

起止页码：279-284

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20143017985502)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000340638900036)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：目前,氧空位对ZnO形成杂质能级的研究结果存在相反的结论,深杂质能级和浅杂质能级两种实验结果均有文献报道,并且,在实验中高温加热的条件下,氧空位体系ZnO中导带自由电子增加的来源认识不足.为了解决此问题,本文采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了纯的与两种不同氧空位浓度ZnO超胞模型,分别对模型进行了几何结构优化、态密度分布、能带分布、布居值和差分电荷密度的计算.结果表明,氧空位浓度越大,系统能量越上升、稳定性越下降、形成能越高、氧空位越难、导带越向低能方向移动、电子跃迁宽度越减小、吸收光谱越红移.这对设计制备新型氧空位ZnO体系光学器件有一定的理论指导作用.

关 键 词：氧空位ZnO  电子结构 吸收光谱 第一性原理

分 类 号：O472]