文献类型：期刊文章

作　　者：郑树文[1] 范广涵[1] 皮辉[1]

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,微纳光子功能材料与器件重点实验室,广州510631

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61176043);广东省战略性新兴产业专项资金资助项目(2012A080304016);华南师范大学青年教师培育基金资助项目(2012KJ018)

年　　份：2014

卷　　号：45

期　　号：12

起止页码：12102-12107

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20143118012488)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分别为0.452eV(直接)和0.373eV(间接)。当增大Al的掺杂量,AlxGa2-xO3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。

关 键 词：第一性原理 β-Ga2O3  AL掺杂 电子结构 能带特性  

分 类 号：O469] O471]