文献类型：期刊文章

作　　者：程发良[1] 宁满霞[1] 莫金垣[2] 戴晓云[3]

机构地区：[1]东莞理工学院应用化学系,广东东莞523106 [2]中山大学化学与化工学院,广东广州510275 [3]香港科技大学生化系

出　　处：《分析测试学报》

基　　金：广东省科技攻关项目 (C31902)

年　　份：2002

卷　　号：21

期　　号：4

起止页码：30-33

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、RSC、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了扫描电位上限对循环伏安法制备聚吡咯膜性能的影响 ,吡咯在水溶液中于玻碳电极表面电化学聚合的起始电位为0.58V ,在聚吡咯 (Ppy)修饰电极表面聚合的起始电位为0.55V ,当聚合电位上限在0.80V以上时 ,Ppy的氧化还原反应可逆性变差 ,同时 ,氧化电位过高将导致Ppy膜导电性能下降 ;研究了聚合介质对循环伏安法制备导电聚吡咯膜的影响 ,实时观察了吡咯 (Py)聚合过程溶液中质子含量的动态变化 ,发现Py聚合伴随有质子的掺杂 释放过程 ;结合Ppy膜的元素分析、ESR分析和IR光谱分析 ,总结出了水介质中电化学聚合高导电性聚吡咯膜的条件。

关 键 词：水介质 吡咯 电化学聚合反应  聚吡咯 光谱电化学 循环伏安法 化学修饰电极

分 类 号：O633.5]