文献类型：期刊文章

作　　者：李金华[1,2,3] 袁宁一[1,2,4] 陈王丽华[2] 林成鲁[4]

机构地区：[1]江苏石油化工学院信息科学系 [2]香港理工大学应用物理系及材料研究中心,中国香港九龙 [3]中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,上海200050 [4]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :10 175 0 2 7)资助的课题~~

年　　份：2002

卷　　号：51

期　　号：8

起止页码：1788-1792

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004057994453)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000177335700025)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用了一种用离子束增强沉积从V2 O5粉末直接制备VO2 薄膜的新方法 ,将纯度为 99 7%的V2 O5粉末压成溅射靶 ,在用Ar离子束溅射的同时 ,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入 ,使沉积膜中V2 O5的V—O键断裂 ,进而被注入的氢还原 ,退火后获得热电阻温度系数 (TCR)高达 4 %的VO2 薄膜 .高剂量的氩氢混合束注入对薄膜引入应力 ,使薄膜的转换温度降低、电阻 温度曲线斜率变大 。

关 键 词：V2O5粉末  制备  离子束增强沉积 VO2薄膜 热电阻温度系数  氧化钒薄膜 五氧化二钒粉末  红外探测 红外成像  

分 类 号：O484.1] TN215[物理学类]