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期刊文章详细信息

BiCMOS三态输出门电路的设计、制备及应用    

Design, fabrication and application of BiCMOS tristate logic gates

  

文献类型:期刊文章

作  者:成立[1] 李彦旭[1] 董素玲[2] 汪洋[1] 唐平[1]

机构地区:[1]江苏大学电气与信息工程学院,江苏镇江212013 [2]徐州建筑职业技术学院机电工程系,江苏徐州221008

出  处:《半导体技术》

基  金:江苏省教育厅自然科学研究基金项目;江苏大学2001年青年基金项目;徐州建筑职业技术学院科研项目资助

年  份:2002

卷  号:27

期  号:8

起止页码:50-54

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:设计了几种BiCMOS三态输出门电路,提出了采用先进的0.5mm BiCMOS工艺,制备所设计的三态输出门的技术要点和器件参数,并分析了它们既具有双极型(Bipolar)门电路快速、大电流驱动能力,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它便携式数字设备中。

关 键 词:BICMOS 数字信息系统  双极互补金属氧化物半导体 三态输出门电路  

分 类 号:TN433]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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