文献类型：期刊文章

作　　者：王广民[1] 朱秉升[2]

机构地区：[1]华东工学院光电技术系 [2]西安交通大学

出　　处：《华东工学院学报》

年　　份：1989

期　　号：1

起止页码：66-70

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、NSSD、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10^(16)cm^(-3)·eV^(-1)。

关 键 词：非晶硅 自洽法  带隙态密度  

分 类 号：TN304.8]