文献类型：期刊文章

作　　者：吴春亚[1] 熊绍珍[1] 郝云[1] 陈有素[1] 杨恢东[1,2] 周祯华[1] 张丽珠[3]

机构地区：[1]南开大学光电子所,国家教育部光电子信息技术科学重点实验室,天津300071 [2]五邑大学薄膜与纳米材料研究所,天津300071 [3]天津机电工业学校

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 6 9876 0 2 2 ;6 990 70 0 2 ;6 0 0 770 11)

年　　份：2002

卷　　号：13

期　　号：5

起止页码：445-449

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：对有机发光二极管 (OL ED)的 I- V特性曲线 ,用有内建电场 Ei 的修正 F- N模型 ,或陷阱电荷限制电流 (TCL)模型进行了模拟分析 ,均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正 F- N模型拟合 ,Ei 不是常数而是随电场变化的 ;对满足 TCL 模型的 OL ED器件 ,其 I- V特性呈现类似于无机半导体器件中的“迟滞回线”状 ,而且随测试次数的变化呈现可恢复的变化。这些均说明 OL ED中存在着缺陷态。

关 键 词：有机发光器件 缺陷态行为表现  有机发光二极管

分 类 号：TN312.8]