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化学机械抛光(CMP)技术的发展、应用及存在问题
Advances and Problems on Chemical Mechanical Polishing
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]清华大学摩擦学国家重点实验室,北京100084
年 份：2002
卷 号：27
期 号：4
起止页码：73-76
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：在亚微米半导体制造中 ,器件互连结构的平坦化正越来越广泛采用化学机械抛光 (CMP)技术 ,这几乎是目前唯一的可以提供在整个硅圆晶片上全面平坦化的工艺技术。本文综述了化学机械抛光的基本工作原理。
关 键 词：化学机械抛光 设备 研浆 平面化技术 半导体器件
分 类 号：TN305.2]
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