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期刊文章详细信息

相场方法及其在晶体生长中的应用(英文)  ( EI收录)  

Phase-field Method and Application in Crystal Growth

  

文献类型:期刊文章

作  者:陈万春[1] 简来成[2]

机构地区:[1]中国科学院物理研究所 [2]台湾中央研究院物理研究所,台北11529

出  处:《人工晶体学报》

基  金:国家科技部攀登计划 ( 95 预 34)资助项目

年  份:2002

卷  号:31

期  号:3

起止页码:245-249

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:相场方法已被发掘出用于直接求解含时的自由边界问题—著名的斯特藩方程。该方法作为晶体生长过程中模拟复杂图形成因的计算工具 ,已呈现出强有力的生命力。目前的研究在于努力发展精巧的计算技术 ,以便对于晶体生长和金属凝固过程进行理论模拟 ,而这些技术将有可能广泛地应用于工业流程。相场方法之所以具有吸引力 ,基于如下事实 :在计算机模拟过程中 ,既可避免对于边界的实时追踪 ,又不需要反复判别是否满足显式边界条件。在过去的 10年中 ,它已逐步被用于研究晶体生长的基础课题。诸如 :热质输运、晶体生长动力学、二维和三维枝晶生长、图形选择、生长形态和显微结构等。本文对相场方法进行评述 ,同时给出其最新应用结果。

关 键 词:相场方法 晶体生长 应用  图像形成  斯特藩模型  枝晶生长 计算机民  

分 类 号:O781]

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