文献类型：期刊文章

作　　者：陈志锦[1] 史峥[1] 王国雄[2] 付萍[3] 严晓浪[1]

机构地区：[1]浙江大学超大规模集成电路设计研究所,杭州310027 [2]鞍山钢铁学院电子与信息工程学院,鞍山114002 [3]华东地质学院信息工程系,临川344000

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 0 176 0 15 )~~

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：7

起止页码：766-771

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上 ,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法 .该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置 ,有效地确定轮廓线存在的范围 ,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻轮廓点 .实验表明 ,这是一种快速高效的轮廓提取方案 ,能够适应光学邻近校正中巨大的运算量 .

关 键 词：光刻 二维成像轮廓  提取  光学邻近校正 OPC 集成电路

分 类 号：TN305.7]