文献类型：期刊文章

作　　者：金曾孙[1] 姜志刚[1] 白亦真[1] 吕宪义[1]

机构地区：[1]吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林长春130023

出　　处：《新型炭材料》

基　　金：国家 8 63新材料领域资助项目~~

年　　份：2002

卷　　号：17

期　　号：2

起止页码：9-12

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000184580900003)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000184580900003)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃～ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜 ,其厚膜直径为 4 0mm～ 5 0mm ,膜厚为～ 4 .2mm ,生长速率最高达到 2 5 μm/h左右 ,在 5 μm/h～ 10 μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜 ,热导率一般在 10W/K·cm～12W /K·cm。高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板 。

关 键 词：直流热阴极  PCVD法  制备  金刚石厚膜  

分 类 号：TB43]