文献类型：期刊文章

作　　者：马瑾[1] 郝晓涛[1] 马洪磊[1] 张德恒[1] 徐现刚[2]

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所,济南250100 [2]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：高等学校骨干教师基金 ;教育部科学技术研究重点资助项目

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：6

起止页码：599-603

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺杂比例为 6 % .适当调节制备参数 ,可以获得在可见光范围内平均透过率大于 85 %的有机衬底 Sn O2 ∶ Sb透明导电薄膜 ,其电阻率～ 3.7× 10 - 3Ω· cm ,载流子浓度～ 1.5 5× 10 2 0 cm- 3,霍耳迁移率～ 13cm2 · V- 1 ·

关 键 词：有机衬底  SnO2:Sb膜  磁控溅射 透明导电膜 二氧化锡

分 类 号：TN304.21]