期刊文章详细信息
栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取
TDDB Test and Parameter Extraction of Gate Oxide
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]信息产业部电子第五研究所,广东广州510610 [2]无锡微电子科研中心,江苏无锡214035
年 份：2002
卷 号：20
期 号：1
起止页码：1-4
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：采用恒定电压和恒定电流试验方法对２０ｎｍ栅氧化层进行了ＴＤＤＢ可靠性评价试验，并完 成了１／Ｅ模型参数提取，给出了恒定电流应力下描述氧化层ＴＤＤＢ退化的统计模型，较好地解释了试验结 果。
关 键 词：栅氧化层 可靠性评价 模型 参数提取 CMOS 集成电路
分 类 号：TN386.1]
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