文献类型：期刊文章

作　　者：葛秀涛[1] 倪受春[2]

机构地区：[1]滁州师范专科学校化学系,滁州239012 [2]滁州师范专科学校物理系,滁州239012

出　　处：《Chinese Journal of Chemical Physics》

基　　金：安徽省教育厅自然科学基金资助项目 (2 0 0 1kj183)~~

年　　份：2002

卷　　号：15

期　　号：2

起止页码：157-160

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、RSC、SCI(收录号：WOS:000179285500018)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000179285500018)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用共沉淀法制备了Mg2 + 掺杂的In2 O3 纳米粉 ,研究了镁掺杂对In2 O3 电导和气敏性能的影响 .结果表明 :MgO和In2 O3 间可形成有限固溶体In2 -xMgxO3 (0≤x≤ 0 .40 ) ;MgIn× 电离的空穴对材料导带电子的湮灭 ,使掺镁纳米粉的电导变得很小 ;n(Mg2 + )∶n(In3 + ) =1∶2共沉淀物于 90 0℃下热处理 4h ,用所得的纳米粉制作的传感器在 32 0～ 370℃下 ,对 45 μmol/LC2 H5OH的灵敏度达 10 2 .5 ,为相同浓度干扰气体Petrol的 12倍多 .

关 键 词：镁  掺杂  IN2O3 气敏性能 电导 气敏传感器 二氧化铟  共沉淀法  分析  纳米粉 乙醇  酒精  半导体  

分 类 号：O649.4]