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室温固相合成In_2O_3及其气敏性能研究 ( EI收录 SCI收录)
Gas Sensitive Properties of Nanometer Materials In_2O_3 Synthesized by Solid-State Reaction at Room Temperature
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]郑州轻工业学院化学工程系,郑州450002 [2]河南师范大学化学与环境科学学院,河南新乡453002
基 金:河南省自然科学基金(004031300)
年 份:2002
卷 号:17
期 号:2
起止页码:367-370
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号:WOS:000175565500032)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000175565500032)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:以无机物InCl3·4H2O和NaOH为原料,在遵守热力学限制的前提下,用室温固相化学反应直接合成了半导体金属氧化物In2O3的纳米粉体,用X射线衍射技术和透射电子显微镜对产物的物相、形貌进行了表征和观察,并用静态配气法测定了材料的气敏性能.
关 键 词:三氧化二铟 气敏材料 室温 固相化学反应
分 类 号:TN304]
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