文献类型：期刊文章

作　　者：张振勇[1] 胡伟[1] 赵勇[1] 杨莲兴[1]

机构地区：[1]复旦大学ASIC国家重点实验室,上海200433

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2002

卷　　号：27

期　　号：5

起止页码：36-39

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了一个采用0.18mm 1.8V RF CMOS工艺,适合 GSM接收器,中心频率为950MHz的低噪声放大器(LNA)的设计过程,并给出了spectreRF的模拟结果。在935～960MHz频带内,LNA功率增益大于16dB,阻抗匹配系数S11小于-18dB,噪声系数(NF)小于2.7dB,IIP3为-3.06dBm,1dB压缩点为-10.955dBm,功耗小于20mW。

关 键 词：低噪声放大器 噪声系数 功率增益 阻抗匹配 CMOS

分 类 号：TN432] TN722.3