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期刊文章详细信息

MOS集成电路ESD保护技术研究    

Study on the ESD Protection Technology of MOS IC

  

文献类型:期刊文章

作  者:王颖[1]

机构地区:[1]东北微电子研究所,沈阳110032

出  处:《微电子技术》

年  份:2002

卷  号:30

期  号:1

起止页码:24-28

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电路

关 键 词:MOS集成电路 ESD保扩技术  失效模式 失效机理  

分 类 号:TN432]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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