期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]东北微电子研究所,沈阳110032
年 份:2002
卷 号:30
期 号:1
起止页码:24-28
语 种:中文
收录情况:普通刊
摘 要:重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电路
关 键 词:MOS集成电路 ESD保扩技术 失效模式 失效机理
分 类 号:TN432]
参考文献:
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