期刊文章详细信息
大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能 ( EI收录)
Preparation and Properties of Large-size Pseudoternary Semiconductive Cooling Material
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]哈尔滨师范大学阿城学院物理系,哈尔滨150301 [2]哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨150081
年 份：2002
卷 号：31
期 号：2
起止页码：144-147
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为 2 7mm的大尺寸P和N型Bi2 Te3 Sb2 Te3 Sb2 Se3 赝三元取向晶锭。并测试了其温差电性质 。
关 键 词：大尺寸赝三元半导体致冷材料 制备 性能 垂直区熔法 Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3 大尺寸晶锭
分 类 号：TN304.05] TB64]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
