文献类型：期刊文章

作　　者：徐友龙[1] 王杰[1] 秦继伟[1]

机构地区：[1]西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,西安710049

出　　处：《西安交通大学学报》

基　　金：1999年度高等学校优秀青年教师教学与科研奖励基金资助项目 ;2 0 0 0年度电子物理与器件教育部重点实验室访问学者基金资助项目

年　　份：2002

卷　　号：36

期　　号：3

起止页码：300-304

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用电化学沉积的方法在腐蚀并赋能的铝箔试样表面合成了聚吡咯 ,并制备了聚吡咯铝电解电容器 .在聚吡咯被覆的过程中 ,由于聚合溶液的毛细现象使电容器的阴极与阳极之间形成了微小的电气通路 ,另外聚合溶液对铝氧化膜有一定的腐蚀作用 ,导致氧化膜的缺陷增加 ,这两种情况是聚吡咯电解电容器漏电流增加的根本原因 .研究发现 ,采用合适的阻断材料和缩短聚合时间均可以有效地降低它们的影响 .通过热重 -差热分析 ,说明了在贮存过程中环境对这种电容器漏电流的影响 ,并提出了保持该电容器长期性能稳定的措施 .

关 键 词：聚吡铬  铝电解电容器 漏电流

分 类 号：TM535.1]