文献类型：期刊文章

作　　者：姜岩峰[1] 黄庆安[1] 吴文刚[2] 郝一龙[2] 杨振川[2]

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210096 [2]北京大学微电子所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家重点基础研究计划资助项目 (编号 :G19990 330 10 9)~~

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：4

起止页码：434-439

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对硅在 KOH中的各向异性腐蚀提出了一个新的物理模型 .此模型从微观角度出发 ,根据实际的腐蚀化学反应过程确定了若干微观状态 ,提出了反映腐蚀特性的若干微观参数 .将腐蚀温度、浓度等对腐蚀速率的影响也反映了进去 .计算结果与实验结果进行了对比 ,表明此模型在解释硅在 KOH中各向异性腐蚀特性等方面具有一定的合理性 .

关 键 词：硅 KOH 物理模型 各向异性腐蚀

分 类 号：TP21]