文献类型：期刊文章

作　　者：戴英[1] 张跃[1] 方圆[1] 黄秀颀[1] 李杰[1]

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系,北京100083

出　　处：《北京科技大学学报》

基　　金：国家自然科学基金资助课题(No.50172006);中国博士后基金资助

年　　份：2002

卷　　号：24

期　　号：2

起止页码：200-202

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用锌粉氧化的方法，通过控制反应器内的气相过饱和度，合成出纯度高、晶体结构完 整、尺度可控的四针状氧化锌晶须（Ｔ－ＺｎＯ晶须）．制备的Ｔ－ＺｎＯ晶须为长尾晶须，针长为５～３０ μｍ，针体的根部尺寸为１～２μｍ，尾部约１００ｎｍ．晶须的生长机理为气－固（ＶＳ）机理．控制反应器 内的反应气相过饱和度是制备高品质Ｔ－ＺｎＯ晶须的关键因素．

关 键 词：生长机理  氧化锌 四针状晶须  气-固机理  结构  半导体

分 类 号：TN304.21]