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期刊文章详细信息

CuInSe_2薄膜特性研究  ( EI收录)  

INVESTIGATIONS OF CHARACTERIZATIONS OF THIN FILM CulnSe2

  

文献类型:期刊文章

作  者:季秉厚[1] 罗永胜[1] 李蓉萍[1]

机构地区:[1]内蒙古大学半导体能源实验室

出  处:《太阳能学报》

基  金:国家自然科学基金

年  份:1991

卷  号:12

期  号:1

起止页码:33-40

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学性质、组份、结构与工艺条件的关系进行了讨论。

关 键 词:薄膜  特性  半导体材料 CUINSE2

分 类 号:TN304]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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