期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]内蒙古大学半导体能源实验室
基 金:国家自然科学基金
年 份:1991
卷 号:12
期 号:1
起止页码:33-40
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学性质、组份、结构与工艺条件的关系进行了讨论。
关 键 词:薄膜 特性 半导体材料 CUINSE2
分 类 号:TN304]
参考文献:
正在载入数据...
二级参考文献:
正在载入数据...
耦合文献:
正在载入数据...
引证文献:
正在载入数据...
二级引证文献:
正在载入数据...
同被引文献:
正在载入数据...