文献类型：期刊文章

作　　者：唐文翰[1] 房慧[1,2] 李凡生[1] 黄灿胜[1] 余小英[1] 郑鑫[1] 王如志[2]

TANG Wen-han;FANG Hui;LI Fan-sheng;HUANG Can-Sheng;YU Xiao-ying;ZHENG Xin;WANG Ru-zhi(Academy of Physics and Electronic Engineering,Guangxi Normal University for Nationalities,Chongzuo 532200,China;College of Materials Science and Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China)

机构地区：[1]广西民族师范学院物理与电子工程学院,广西崇左532200 [2]北京工业大学材料科学与工程学院,北京100124

出　　处：《量子电子学报》

基　　金：国家自然科学基金;11347141;广西自然科学基金;2015GXNSFBA139014;广西教育厅高等学校科学技术研究重点项目;KY2015ZD135;广西高校中青年教师基础能力提升项目;2017KY0833;广西民族师范学院人才科研启动项目;2014RCGG001~~

年　　份：2019

卷　　号：36

期　　号：1

起止页码：116-122

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2019_2020、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用密度泛函理论计算分析的方法系统研究了Al掺杂TiO_2基晶体材料的电子结构和光学性质.结果表明,本征Ti02材料具有直接带隙型能带,其带隙宽度为2.438 eV,Al掺杂TiO_2材料同样具有直接带隙型能带,其带隙宽度降低至2.329 eV.本征TiO_2与Al掺杂的TiO_2材料均含有五个子能带,但是Al掺杂TiO_2材料子能带位置发生改变.Al掺杂在Ti02材料价带中引入大量新的能级,降低了费米能级上的态密度,Al掺杂为n型掺杂.对于Al掺杂TiO_2材料来说,s态电子和p态电子主要在Al掺杂TiO_2材料的带内跃迁过程起较大的作用.Al掺杂的TiO_2材料最强的介电吸收峰在320 nm附近,Al掺杂拓展了TiO_2材料的光吸收范围,其介电吸收能量范围向长波方向移动.本征TiO_2及Al掺杂TiO_2材料在1000 nm以下波长的折射率曲线相似.Al掺杂TiO_2材料在500 nm以下的折射率较本征TiO_2材料降低,而500 nm以上折射率较本征TiO_2材料增大.

关 键 词：光电子学 TIO2 AL掺杂 电子结构 光学性质

分 类 号：TN304.2]