文献类型：期刊文章

作　　者：李美玲[1] 何荧峰[1] 卫会云[1] 刘三姐[1] 仇鹏[1] 宋祎萌[1] 安运来[1] 彭铭曾[1] 郑新和[1]

LI Meiling;HE Yingfeng;WEI Huiyun;LIU Sanjie;QIU Peng(Dept.of Appl.Phys.,School of Mathematics and Phys.,Beijing University of Science and Technol.,Beijing 100083,CHN)

机构地区：[1]北京科技大学数理学院应用物理系,北京100083

出　　处：《半导体光电》

基　　金：北京市自然科学基金项目(4173077;2184112)

年　　份：2018

卷　　号：39

期　　号：6

起止页码：819-823

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用等离子增强原子层沉积技术(PE-ALD)在350℃温度下,在KAPTON柔性衬底上直接生长出多晶GaN薄膜。利用低角度掠入射X射线衍射仪、AFM、SEM、TEM、XPS对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行了表征和分析。结果表明,薄膜呈多晶态,且具有良好的均匀性;薄膜中的N元素全部以N-Ga键形式存在;大部分Ga元素以Ga-N键形式构成GaN;少量的Ga元素分别以Ga-Ga键和Ga-O键形式构成金属镓以及Ga2O_3。研究发现,虽然KAPTON具有较好的耐高温性,但GaN会反向扩散进入KAPTON衬底,形成具有一定厚度的GaN扩散层。

关 键 词：氮化镓 柔性衬底 等离子增强原子层沉积  反向扩散  

分 类 号：TN304]