文献类型：期刊文章

作　　者：陈亚琦[1,2] 许华慨[2] 唐东升[2] 余芳[2] 雷乐[2] 欧阳钢[2]

Chen Ya-Qi;Xu Hua-Kai;Tang Dong-Sheng;Yu Fang;Lei Le;Ouyang Gang(School of Electronic Information and Electrical Engineering, Xiangnan University, Chenzhou 423000, China;Key Laboratory of Low Dimensional Quantum Structures and Quantum Control, School of Physics and Electronics, Hunan Normal University, Changsha 410006, China)

机构地区：[1]湘南学院电子信息与电气工程学院,郴州423000 [2]湖南师范大学物理与电子科学学院,低维量子结构与调控教育部重点实验室,长沙410006

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11574080);湘南学院校级科研项目(批准号:2016XJ31)资助的课题.

年　　份：2018

卷　　号：67

期　　号：24

起止页码：188-197

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为探究常态环境下氧空位对单根SnO_2纳米线电输运性能的影响,采用化学气相沉积法合成了SnO_2纳米线,通过光刻微加工技术构筑了Au/单根SnO_2纳米线/Au二端纳米器件.将单根SnO_2纳米器件进行氢化处理,测试其在空气与真空中的伏安特性曲线,发现单根SnO_2纳米线在空气和真空环境中呈现异常不同的电输运特性:在空气中,加偏压注入电子会使通过纳米器件的电流减小,Au电极与SnO_2纳米线之间的接触势垒增大;抽真空后,在偏压的影响下,通过纳米器件的电流增大,Au/SnO_2交界面的接触方式由肖特基接触转变成欧姆接触.实验分析表明,影响单根SnO_2纳米线电输运特性行为的因素与纳米线表面的氧原子吸附与脱吸附所引起的氧空位浓度的变化有关.为进一步分析氧空位浓度变化的作用,利用第一性原理计算方法计算了氧空位浓度对SnO_2纳米线电输运性能的影响,通过分析体系的能带结构、态密度及Au/SnO_2接触界面的I-V曲线和透射谱,发现随着氧空位浓度的增大,SnO_2纳米线的带隙变小.同时,氧空位缺陷使Au/SnO_2接触界面处电子透射率增大,体系电输运能力变强.该研究结果将为集成纳米功能器件的设计提供一种新思路.

关 键 词：Au/单根SnO2纳米线/Au两端纳米器件  电输运 氧空位 第一性原理计算

分 类 号：TB383.1[材料类]