文献类型：期刊文章

作　　者：蒋多晖[1] 周伟成[2] 张斌[2] 郭清[2]

Jiang Duohui;Zhou Weicheng;Zhang Bin;Guo Qing(Department of Electrical Engineering,Anhui Electrical Engineering Professional Technique College,Hefei 230051,China;College of Electrical Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China)

机构地区：[1]安徽电气工程职业技术学院电力工程系,合肥230051 [2]浙江大学电气工程学院,杭州310027

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51577169)

年　　份：2018

卷　　号：43

期　　号：12

起止页码：936-940

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2017_2018、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：碳化硅金属氧化物半导体场效应管(Si C MOSFET)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)这两种器件内部存在容易捕获电子的"陷阱",会影响导电沟道的性能,进而影响器件的导通电阻。对SiC MOSFET和GaN HEMT各选取了一款典型的商用器件,分别对Si C MOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性进行了测试。测试结果表明,Si C MOSFET的导通电阻变化量相对小,且应力停止后导通电阻可以恢复到初始状态,这说明其界面态陷阱密度比GaN HEMT更低,因此实际应用中无需考虑导通电阻的稳定性;而GaN HEMT的动态电阻变化较大,这极大地增加了导通损耗,影响系统的可靠性,因此在实际应用中需要考虑导通电阻变化对导通性能的影响。

关 键 词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SicMOSFET)  氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)  高温  稳定性  可靠性

分 类 号：TN386]