期刊文章详细信息
非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析 ( EI收录)
Rapid crystallization of a-Si films at low temperatures and structure analyses of the crystallized films
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]汕头大学物理系,汕头515063
基 金:国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 8)~~
年 份:2002
卷 号:51
期 号:4
起止页码:863-866
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000174952500030)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶粒尺寸为 5 0 0nm ;退火温度为 6 0 0℃时 ,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅 ,其平均晶粒尺寸约为1 5 μm .
关 键 词:固相晶化 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 低温快速晶化 结构分析
分 类 号:O484]
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