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期刊文章详细信息

ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在N_2气氛中的热退火研究  ( EI收录)  

Investigation of thermal annealing for a-C:F:H filmsdeposited with microwave ECR-CVD method

  

文献类型:期刊文章

作  者:辛煜[1] 宁兆元[1] 程珊华[1] 陆新华[2] 甘肇强[1] 黄松[1]

机构地区:[1]苏州大学物理系薄膜材料实验室,苏州215006 [2]苏州大学化学系,苏州215006

出  处:《物理学报》

基  金:江苏省教育委员会自然科学研究基金资助的课题~~

年  份:2002

卷  号:51

期  号:2

起止页码:439-443

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000173710400045)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘  要:改变CHF3 CH4源气体流量比 ,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法 (ECR CVD)制备了具有不同C—F键结构的a C :F :H薄膜 ,着重研究了退火对其结构的影响 .结果显示薄膜的厚度及其光学带隙E0 4随退火温度的上升均呈现了不同程度的下降 .借助于红外吸收光谱和所提出的热解模型解释了产生这种关系的结构上的根源 .

关 键 词:电子回旋共振化学气相沉积  红外吸收光谱 热退火 光学带隙 ECR-CND  a-C:F:H薄膜  制备  碳氟氢薄膜  

分 类 号:O484.4]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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