文献类型：期刊文章

作　　者：张兆祥[1] 侯士敏[1] 赵兴钰[1] 张浩[1] 孙建平[1] 刘惟敏[1] 薛增泉[1] 施祖进[2] 顾镇南[2]

机构地区：[1]北京大学电子学系,北京100871 [2]北京大学化学与分子工程学院,北京100871

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6 99710 0 3和 6 9890 2 2 1);教育部科学技术研究重点项目 (批准号 :0 0 0 0 5 )资助的课题~~

年　　份：2002

卷　　号：51

期　　号：2

起止页码：434-438

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004057994206)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000173710400044)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000173710400044)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用场发射显微镜 (FEM)和四极质谱计分别研究了经过热处理的单壁碳纳米管的场发射图像和热处理过程中样品脱附的残气质谱 .当热处理温度达到 10 0 0℃左右时得到了单壁碳纳米管的场发射像 ,此像可能是顶端开口的单根 (16 ,0 )锯齿形单壁碳纳米管的具有原子可分辨的场发射图像 .四极质谱分析结果表明 ,在此温度范围W针尖晶粒间隙中有O原子和C原子释放出来 .它们对单壁碳纳米管顶端的修饰是我们能观察到这些碳纳米管场发射像的可能原因 .

关 键 词：单壁碳纳米管 SWCNTS 场发射显微镜 FEM 四极质谱  场发射图像  热处理过程  

分 类 号：TB383[材料类]