文献类型：期刊文章

作　　者：张国艳[1] 廖怀林[1] 黄如[1] Mansun CHAN[2] 张兴[1] 王阳元[1]

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871 [2]香港科技大学电子工程系

出　　处：《电子学报》

基　　金：国家自然科学基金 (No .6991 0 1 61 992 )

年　　份：2002

卷　　号：30

期　　号：2

起止页码：232-235

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 .

关 键 词：场效应晶体管 数模混合集成  失真分析  SOI MOSFET

分 类 号：TN386.1]