文献类型：期刊文章

作　　者：范志新[1] 孙以材[1] 陈玖琳[1]

机构地区：[1]河北工业大学应用物理系,天津300130

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：2001

卷　　号：22

期　　号：11

起止页码：1382-1386

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2002307029119)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 .

关 键 词：氧化物半导体 透明导电薄膜 最佳掺杂含量  

分 类 号：TN304.21]