文献类型：期刊文章

作　　者：李宏建[1] 彭景翠[1] 许雪梅[1] 瞿述[1] 夏辉[1]

机构地区：[1]湖南大学光电子材料研究所,长沙410082

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：湖南省自然科学基金资助项目 (98JJY2 0 47)~~

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：1

起止页码：34-37

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2002397108048)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：选用含有胺基的正丁胺 (CH3CH2 CH2 CH2 - NH2 )作碳源 ,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化 ,其光致发光谱和存放实验表明 :正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径 .研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝化温度和钝化时间的变化关系 ,其结果显示

关 键 词：多孔硅 钝化温度  光致发光谱

分 类 号：TN304.91]