文献类型：期刊文章

作　　者：郭玉忠[1] 王剑华[1] 黄瑞安[1] 王贵青[1]

机构地区：[1]昆明理工大学新材料制备与加工省重点实验室,昆明650093

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家科委重点科技攻关项目(96-119-04-01-05)

年　　份：2002

卷　　号：17

期　　号：1

起止页码：131-138

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000174436700022)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000174436700022)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过实验测量 ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的 Ｓｂ掺杂 ＳｎＯ２薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚，紫外－可见光区透射率、反射率等性质，详细研究了Ｓｂ掺杂ＳｎＯ２薄膜电学与光学性能．实验发现，薄膜具有良好的透光性和较高导电性，膜内载流子浓度高达１０２０ｃｍ－３，电阻率～１０－２Ω·ｃｍ，透光率高达 ９０％，ＳｎＯ２膜禁带宽度 Ｅｇ＝３７～３．８０ｅＶ．

关 键 词：Sb  掺杂 SNO2薄膜 导电性  测量  透光度 反射率  电学性能  二氧化锡 半导体材料  锑  光学性能  

分 类 号：TN304.21] O484]