期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]山东大学物理系,济南250100 [2]济南大学物理系,济南250002
基 金:国家自然科学基金资助项目 ( 5 0 0 72 0 13)
年 份:2001
卷 号:23
期 号:5
起止页码:402-404
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2000、CSA、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:通过对样品密度、介电常数、I- V特性及晶界势垒特性的测定和分析 ,研究掺 Y对 (Y ,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏 -电容性能的影响。掺入 x(Y2 O3) 0 .6 0 %的样品显示出最高的非线性常数 (α=7.86 )以及最高的相对介电常数 (εr=8.5 4× 10 4)和样品密度 (可达理论密度的 98.8% ) ,与该样品最高且窄的晶界缺陷势垒相一致 ,是一种较为理想的压敏 -电容陶瓷。提出了 Ti O2 · Y2 O3· Nb2
关 键 词:二氧化钛 电学性能 频谱 掺杂 低压压敏陶瓷
分 类 号:TM282[材料类]
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