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期刊文章详细信息

掺Y对二氧化钛低压压敏陶瓷性能的影响    

Effect of Y on the Properties of Low-voltage TiO_2-based Varistor Ceramics

  

文献类型:期刊文章

作  者:苏文斌[1] 王矜奉[1] 李长鹏[1] 陈洪存[1] 李明明[2]

机构地区:[1]山东大学物理系,济南250100 [2]济南大学物理系,济南250002

出  处:《压电与声光》

基  金:国家自然科学基金资助项目 ( 5 0 0 72 0 13)

年  份:2001

卷  号:23

期  号:5

起止页码:402-404

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2000、CSA、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:通过对样品密度、介电常数、I- V特性及晶界势垒特性的测定和分析 ,研究掺 Y对 (Y ,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏 -电容性能的影响。掺入 x(Y2 O3) 0 .6 0 %的样品显示出最高的非线性常数 (α=7.86 )以及最高的相对介电常数 (εr=8.5 4× 10 4)和样品密度 (可达理论密度的 98.8% ) ,与该样品最高且窄的晶界缺陷势垒相一致 ,是一种较为理想的压敏 -电容陶瓷。提出了 Ti O2 · Y2 O3· Nb2

关 键 词:二氧化钛 电学性能 频谱 掺杂 低压压敏陶瓷  

分 类 号:TM282[材料类]

参考文献:

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同被引文献:

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