文献类型：期刊文章

作　　者：李长鹏[1] 王矜奉[1] 陈洪存[1] 苏文斌[1] 李明明[2]

机构地区：[1]山东大学物理系,济南250100 [2]济南大学物理系,济南250002

出　　处：《压电与声光》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 ( 5 0 0 72 0 13)

年　　份：2001

卷　　号：23

期　　号：5

起止页码：362-365

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CSA、CSCD、CSCD2011_2012、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i+ 对 Sn4+ 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na+ 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2

关 键 词：压敏材料 二氧化锡 电学性能 缺陷势垒模型  掺杂 压敏电阻器

分 类 号：TN379] TM54]