文献类型：期刊文章

作　　者：郝一龙[1] 张立宪[1] 李婷[1] 张大成[1]

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《机械强度》

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (973)项目---"集成微光机电系统研究"子项目 (G1 9990 331 1 0 9);中科院创新性研究项目资助

年　　份：2001

卷　　号：23

期　　号：4

起止页码：523-526

语　　种：中文

收录情况：AMR、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2002066853176)、IC、INSPEC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：结合MEMS技术的发展历史 ,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向。指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线 ;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展 ;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合 ,追求大质量块和低应力以及三维加工。SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向 ;

关 键 词：微电子机械系统 牺牲层 体硅工艺 深刻蚀

分 类 号：TH－39[机械类] TN305.7]