文献类型：期刊文章

作　　者：钱劲[1] 刘澂[1] 张大成[2] 赵亚溥[1]

机构地区：[1]中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室,北京100080 [2]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《机械强度》

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (973)项目

年　　份：2001

卷　　号：23

期　　号：4

起止页码：393-401

语　　种：中文

收录情况：AMR、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2002066853154)、IC、INSPEC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：残余应力一直是微系统技术 (MST)发展中一个令人关注的问题 ,它影响着MEMS器件设计、加工和封装的全过程。文中考虑薄膜中残余应力的起源 ,介绍测量残余应力的主要方法 ,并就计算薄膜中残余应力的Stoney公式及其推广形式作了详细的讨论 ,针对微尺度下残余应力对MEMS结构力学行为的影响 。

关 键 词：微电子机械笼  残余应力 薄膜  屈曲 粘附 响应频率  

分 类 号：TH－39[机械类] TH123.4