文献类型：期刊文章

作　　者：卢小泉[1] 靳军[1] 朱开梅[1] 张焱[1] 康敬万[1]

机构地区：[1]西北师范大学化学研究所,兰州730070

出　　处：《分析化学》

基　　金：甘肃省自然科学基金;西北师范大学创新基金资助课题

年　　份：2001

卷　　号：29

期　　号：10

起止页码：1178-1180

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCIE、SCOPUS、UPD、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用自制的新型尾式巯基钴（Ⅱ）卟啉在金电极上制成自组装单分子膜，并用ＸＰＳ，ＳＥＭ和电化学的方法进行了表征。该膜对抗坏血酸具有良好的催化作用，其氧化过电位较裸金电极上降低了１４０ ｍＶ，响应电流与抗坏血酸（ＡＡ）的浓度在 ７．８ × １０－５ｍｏｌ／Ｌ～１．０×１０－２ｍｏｌ／Ｌ的范围内具有良好的线性关系，相关系数为 ０．９９８１；检测下限为 １．３ × １０－８ｍｏｌ／Ｌ（富集 １０ｍｉｎ）。

关 键 词：巯基钴  卟啉 自组装膜 抗坏血酸 表征  催化氧化  电化学行为

分 类 号：O646]