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期刊文章详细信息

单片集成硅光接收器中p-i-n硅光电探测器的进展    

Development of p-i-n Si photodetector in monolithic integrated Si photoreceiver

  

文献类型:期刊文章

作  者:郭辉[1] 郭维廉[1] 吴霞宛[1] 陈迪平[2]

机构地区:[1]天津大学电信工程学院,天津300072 [2]湖南大学电子科学与技术系,湖南长沙400082

出  处:《半导体技术》

年  份:2001

卷  号:26

期  号:10

起止页码:52-57

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:介绍了单片集成硅光接收器的研究背景、硅光电探测器工作机理以及它对实现高性能单片集成硅光接收器的影响,回顾总结了近年来的研究进展,并报道了我们的研究结果,展望了今后的发展。

关 键 词:单片集成电路 p-i-n硅光电探测器  SOI 单片集成硅光接收器  

分 类 号:TN36] TN43

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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